將固態(tài)的高純的 Si源 和高純的 C源 作為原料，使其在 1400～2000℃ 的高溫下持續(xù)反應(yīng)，最后得到高純SiC粉體。合成過(guò)程中涉及的原輔料，純度均在 6.5N以上，關(guān)鍵雜質(zhì)元素 B、Al、V、Ti、Fe、W 和 Mo 等均小于 0.05ppm。
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創(chuàng)新性提出“半粘半夾持技術(shù)”，簡(jiǎn)化籽晶粘結(jié)工作的同時(shí)，減少晶體應(yīng)力。提高高溫下的膠水的殘?zhí)柯?，采? 超聲波霧化噴涂技術(shù)，將行業(yè)傳統(tǒng)的手動(dòng)粘結(jié)替代為設(shè)備噴涂粘結(jié)，一次粘結(jié)合格率從 45% 提高到 75% 以上。
將籽晶與石墨紙粘結(jié)固定，實(shí)現(xiàn)夾持石墨紙而不夾持籽晶的技術(shù)。粘紙結(jié)構(gòu)減少石墨托方案的后期應(yīng)力，且能有效避免夾持籽晶的缺陷及利用率低的問(wèn)題，可生產(chǎn)較厚的高質(zhì)量晶體。
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提出粉料區(qū)“自犧牲”式多孔石墨組件來(lái)穩(wěn)定長(zhǎng)晶初期“硅逃逸”、長(zhǎng)晶區(qū) 涂層石墨件 來(lái)抵抗“硅腐蝕”、“梯度式”裝料穩(wěn)定長(zhǎng)晶過(guò)程中“碳硅比”技術(shù)，實(shí)現(xiàn) 6-8英寸 晶體快速生長(zhǎng)，生長(zhǎng)速度 提高40%以上，晶片碳包裹合格率由 80% 提高到 95% 以上。
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石墨“筒狀輻射發(fā)熱” 替代坩堝上方軟、硬氈的保溫?zé)釄?chǎng)，減少熱場(chǎng)上端的腐蝕，同時(shí)避免爐次與爐次之間的溫度波動(dòng)，提高熱場(chǎng)壽命與熱場(chǎng)穩(wěn)定性。熱場(chǎng)平均壽命可 提高80%以上。
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提出“石墨翅片”組件的溫度調(diào)節(jié)裝置，相對(duì)于石墨環(huán)表面積 提高277%，換熱效應(yīng) 提高127%。以此替代石墨氈調(diào)整溫度梯度，避免石墨氈在高溫下收縮、硅腐蝕等行業(yè)難題，實(shí)現(xiàn)“相似型饅頭面”的生長(zhǎng)方式，提高晶體質(zhì)量與穩(wěn)定性。
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我司業(yè)內(nèi)首推 0.105mm 螺旋線 進(jìn)行SiC砂漿切割。我司加工時(shí)間已縮短至 80小時(shí)，切割效率 提高38%。通過(guò)對(duì)線切單位面積切割力計(jì)算和測(cè)試，我司0.105mm螺旋線用線量已經(jīng)降低至 1.2km/pcs，損耗 減少60%以上。我司單刀裝載量為 300pcs/刀，裝載量 提升50%，且良率在 99.5% 以上。
通過(guò)對(duì)碳化硅線切的深入研究，開(kāi)發(fā)了高效率、低成本的線切加工方式。
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